デバイス技術研究開発センター

最先端のメモリ製品を開発するためには、新規メモリセルの材料や構造の開発、周辺回路を駆動するトランジスタなどのデバイスの開発、それらを全体として半導体ウエハ上に実現するインテグレーション技術、回路設計技術、TCAD技術などが必要です。

デバイス技術研究開発センターでは、それらの新規技術を開発すると共に、それらを駆使して、更なる大容量化を実現する次世代ファイルメモリ、ストレージクラスメモリなどの新規不揮発性メモリの開発、シミュレーションプログラムの開発と実デバイスへの応用、今までにない新しいメモリのコンセプトを作りあげ、そのコンセプトを反映したメモリ回路設計技術の研究と新規メモリのプロトタイプ設計、10年先を見据えた新しい概念や新しい物理現象に基づく未だ誰も見たことのないメモリの基礎的な材料・構造などの研究開発などを行っています。

デバイス技術

所在地

  • 四日市工場(三重県四日市市)
  • 横浜テクノロジーキャンパス(神奈川県横浜市栄区)
  • 横浜テクノロジーキャンパス 小向分室(神奈川県川崎市幸区)
  • 横浜テクノロジーキャンパス 半導体システム技術センター分室(神奈川県川崎市幸区)

技術トピックス

新規メモリ開発

新規メモリ開発

テラビット級の高集積を目指すイオンメモリ

テラビット級の高集積を目指すイオンメモリ

テラビット級の高集積を目指すイオンメモリ

新規酸化物半導体InAlZnOをチャネルに用いた短チャネル

Twin BiCS FLASH ~3次元フラッシュメモリの更なる大容量化を実現する半円型構造セル~

Twin BiCS FLASH ~3次元フラッシュメモリの更なる大容量化を実現する半円型構造セル~

TCAD技術開発

TCAD技術開発

ナノ材料の評価技術

ナノ材料の評価技術

ナノ材料の評価技術

3次元フラッシュメモリ向け単結晶シリコンチャネルプロセス技術の開発