プロセス技術研究開発センター

最先端の半導体デバイスを作成するためには、最先端の化学、物理を駆使した製造工程を何度も繰り返す必要があります。

プロセス技術研究開発センターでは、次世代メモリに必要な新規材料の成膜技術、NGL(Next-generation lithography=次世代リソグラフィ)などの新規パターニング技術およびマスク技術、新規材料や深い穴や複雑な形状をエッチングするDryおよびWetのエッチング技術、高速メモリに必要な低抵抗金属配線技術、新材料や新構造に対する分析解析技術・検査計測技術やそれらの量産化を実現するための生産技術の研究開発や最先端デバイスの試作などを行っています。

新規プロセスによるメモリ技術のコアコンピタンスを確立することにより、価値ある基盤プロセス技術の創出、メモリ製品の競争力を高めるプロセス技術の創出、プロセス技術の横展開と深耕を行い、量産技術部、量産工場への技術移管を目指しています。

プロセス技術

所在地

  • 四日市工場(三重県四日市市)
  • 横浜テクノロジーキャンパス 横浜分室(神奈川県横浜市磯子区)
  • 横浜テクノロジーキャンパス 生産技術センター分室(神奈川県横浜市磯子区)
  • 横浜テクノロジーキャンパス 小向分室(神奈川県川崎市幸区)

技術トピックス

次世代リソグラフィプロセス技術 ~ナノインプリント技術~

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次世代デバイス向け分析技術

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機械学習を活用した画像処理技術

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ナノインプリントリソグラフィによるハーフピッチ14nm一括パターンニング技術開発

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