技術開発ヒストリー

1987年、NAND型フラッシュメモリは、当社で開発されました。私達は他社に先駆けて微細化技術を高め、高集積化を実現しました。更に、積層化技術によって大容量化を行い、電子機器の進化や情報社会の進展をグローバルに支えてきました。

技術開発ヒストリー

メモリ/メモリカード SSD
世界初 フラッシュメモリを発明 1984  
世界初 NAND型フラッシュメモリを発明 1987  
世界初 4Mbit NAND型フラッシュメモリを製品化 1991  
・四日市工場を設立
・世界初 16Mbit NAND型フラッシュメモリを製品化
1992  
256Mbit NAND型フラッシュメモリを製品化 1998  
SDメモリカードを製品化 2000  
世界初 1Gbit MLC NAND型フラッシュメモリを製品化 2001 SLC NAND搭載 PATA SSDを製品化
2Gbit NAND型フラッシュメモリを製品化 2003  
世界初 3次元フラッシュメモリ技術を発表 2007 業界最大容量 128GB 56nm MLC NAND搭載
SATA SSDを製品化
43nm NAND型フラッシュメモリを製品化 2008 43nm MLC NAND搭載 512GB SATA SSDを製品化
32nm NAND型フラッシュメモリを学会発表(ISSCC)、製品化 2009 業界初 128GB Half Slim SATA/mSATA SSDの製品ラインアップを拡充
世界最高集積度 24nm MLC NAND型フラッシュメモリを製品化 2010 mSATAと比べ、薄型化および小型化を実現した
スティックタイプSSDを製品化
(最大容量256GB)
世界最小 19nm MLC NAND型フラッシュメモリを製品化 2011  
19nm TLC NAND型フラッシュメモリを学会発表(ISSCC)、製品化 2012 エンタープライズ向け
業界最大級 1.6TB 24nm MLC NAND搭載
SAS SSDをサンプル出荷
当社独自の誤り訂正技術「QSBC™」を採用
世界最小 19nm 第2世代 MLC
NAND型フラッシュメモリを製品化
2013 19nm MLC NAND搭載 SAS/SATA SSDを製品化、製品ラインアップを拡充
世界最小 15nm NAND型フラッシュメモリを製品化 2014  
世界最高集積度 48層3次元フラッシュメモリ
「BiCS FLASH™」を製品化
2015 ・世界最小 NVMe™ Single package SSDを製品化
・クライアント向け業界初 1024GB NVMe™ SSDを製品化
世界最高集積度 64nm 3次元フラッシュメモリ
「BiCS FLASH™」を試作
2016 3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」搭載
第2世代 Single package SSDを製品化
・世界初 TSV技術搭載 TLC 3次元フラッシュメモリ
「BiCS FLASH™」を試作
・96層 3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を試作
・世界初 64層 QLC 3次元フラッシュメモリ
「BiCS FLASH™」を試作
2017 クライアントおよびエンタープライズ向け
64層 3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」搭載 SSDを製品化、製品ラインアップを拡充
96層 QLC 3次元フラッシュメモリ
「BiCS FLASH™」を試作
2018 業界初 96層 3次元フラッシュメモリ
「BiCS FLASH™」搭載 SSDを製品化
*SLC: Single Level Cell
*MLC: Multi Level Cell
*TLC: Triple Level Cell
*QLC: Quad Level Cell
*PATA: Parallel Advanced Technology Attachment
*SATA: Serial Advanced Technology Attachment
*mSATA: mini SATA
*SAS: Serial Attached SCSI (Small Computer System Interface)

表彰

2020年

2020/9/24 公益社団法人発明協会 令和2年度全国発明表彰 恩賜発明賞
「超高密度3次元フラッシュメモリ構造とその製造方法の発明」(特許第5016832号)
2020/3/13 応用物理学会 第18回(2019年度)プラズマエレクトロニクス賞
2020/3/12 公益社団法人応用物理学会 APEX/JJAP編集貢献賞

 

2019年

2019/11/27 ソートベンチマーク委員会 ジュールソート部門ワールドレコード *1
2019/11/22 公益社団法人発明協会 令和元年度中部地方発明表彰 文部科学大臣賞
「3次元フラッシュメモリの発明」(特許第5016832号)
2019/11/19 ナノテスティングシンポジウム NANOTS2019 Best Interested Paper Award、若手奨励賞
2019/11/13 AEC/APC Symposium Asia 2019 Best Paper Award
「Robust Estimation of Mixed-Type Wafer Map Similarity Utilizing Non-negative Matrix Factorization」
2019/11/5 A-SSCC Outstanding Contribution Award
2019/9/18 応用物理学会 第13回(2019年度)応用物理学会フェロー表彰
2019/3/10 応用物理学会 第17回(2018年度)プラズマエレクトロニクス賞
2019/3/9 応用物理学会 第45回(2018年秋季)応用物理学会講演奨励賞
2019/2/19 IEEE SSCS Japan Industry Contribution Award
2019/1/17 JSPS プラズマ材料科学賞 第20回 技術部門賞

*1…2019/11/27時点(1TBソート/89Kジュール)

 

2018年

2018/11/13 DPS2018 西澤賞
2018/10/27 日本女性技術者フォーラム 2018年 JWEF奨励賞 審査員特別賞
2018/9/18 応用物理学会 第12回(2018年度)応用物理学会フェロー表彰
2018/9/11 cloudera 第6回 Data Impact Awardsビジネスインパクト部門Connect Products and Services
2018/6/6 電子デバイス産業新聞 第24回半導体・オブ・ザ・イヤー2018 半導体デバイス部門 優秀賞

 

2017年

2017/11/22 IWDTF Young Award
2017/11/16 DPS2017 DPS Paper Award
2017/11/10 ナノテスティングシンポジウム NANOTS2017 Best Interested Paper Award
2017/8/4 日本映画テレビ技術協会 第70回(2016年度)技術開発奨励賞
2017/6/26 人工知能学会 2016年度 現場イノベーション賞 金賞
2017/4/28 映像情報メディア学会 第44回(2016年度)技術振興賞 進歩開発賞(研究開発部門)
2017/3/24 大河内記念会 第63回(平成28年度)大河内記念賞
2017/2/14 科学技術と経済の会(JATES) 第5回技術経営・イノベーション賞 経済産業大臣賞
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