メッセージ

「メモリ新時代」を切り拓くために
最先端の研究・技術開発を進めます。

 

技術統括責任者

百冨 正樹

キオクシアは、「『記憶』で世界をおもしろくする」を実現させるため、NAND型フラッシュメモリ、3次元フラッシュメモリを世界に先駆けて開発した技術を基盤として、更なる研究・技術開発を推進します。

 

当社は、スマートフォンやIoTデバイス、5Gネットワーク、人工知能(AI)、自動運転などによって喚起される需要にこたえるため、また環境負荷を減らしたコンピューティングを実現させるため、新しいメモリデバイスやストレージシステムの開発に力を入れています。その実現のために、デバイス、回路、プロセス、システム技術やAIを活用した生産技術など、組織の垣根を越えた連携を取りながら、制約を設けず柔軟な発想で問題解決に挑戦しています。

 

また自社による開発の強化に加えて、顧客やパートナーとの連携、産学連携などのオープンイノベーションを通じた人材交流を積極的に行っています。これらの取組みは、社内外の若手科学技術者の育成および研究活動に貢献しています。

 

当社は、メモリを中心とする半導体技術の進化により、新たな製品やサービスを実現させ、社会と生活を大きく変える役割を果たしてきました。これからもNAND型フラッシュメモリ、そして大容量・高性能な3次元フラッシュメモリBiCS FLASHTMの開発を通じて業界をリードし、高速・大容量・高信頼性のメモリ、SSDを世界中に提供していきます。

 

キオクシア株式会社
技術統括責任者
百冨 正樹

略歴

1958年生まれ。1980年3月 九州大学工学部電子学科卒業

1980年4月 株式会社東芝へ入社。NAND型フラッシュメモリの開発プロジェクトに初期メンバーとして参画

1987年 NAND型フラッシュメモリに関する論文を共同執筆

2007年6月から同社 セミコンダクター社 技師長、セミコンダクター&ストレージ社 半導体研究開発センター長を歴任

2017年4月 東芝メモリ株式会社(現キオクシア株式会社)メモリ技術研究所長に就任

2020年1月よりキオクシア株式会社 技術統括責任者(CTO)

メモリ分野のパイオニアとして活躍するとともに、キオクシアの研究・技術開発をリードする。