技術開発ヒストリー
技術開発ヒストリー
1987年のNAND型フラッシュメモリの発明をはじめ、電子機器の進化や情報社会の進展をグローバルに支えてきたキオクシアのあゆみを、メモリとSSDの開発史を通じてご紹介します。
技術開発ヒストリー
技術開発ヒストリー
メモリ/メモリカード | 年 | SSD |
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世界初 フラッシュメモリを発明 | 1984 | |
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1987 | |
世界初 4Mbit NAND型フラッシュメモリを製品化 | 1991 | |
・四日市工場を設立 ・世界初 16Mbit NAND型フラッシュメモリを製品化 |
1992 | |
256Mbit NAND型フラッシュメモリを製品化 | 1998 | |
SDメモリカードを製品化 | 2000 | |
世界初 1Gbit MLC NAND型フラッシュメモリを製品化 | 2001 | ![]() |
2Gbit NAND型フラッシュメモリを製品化 | 2003 | |
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2007 | 業界最大容量 128GB 56nm MLC NAND搭載 SATA SSDを製品化 |
43nm NAND型フラッシュメモリを製品化 | 2008 | 43nm MLC NAND搭載 512GB SATA SSDを製品化 |
32nm NAND型フラッシュメモリを学会発表(ISSCC)、製品化 | 2009 | 業界初 128GB Half Slim SATA/mSATA SSDの製品ラインアップを拡充 |
世界最高集積度 24nm MLC NAND型フラッシュメモリを製品化 | 2010 | ![]() スティックタイプSSDを製品化 (最大容量256GB) |
世界最小 19nm MLC NAND型フラッシュメモリを製品化 | 2011 | |
19nm TLC NAND型フラッシュメモリを学会発表(ISSCC)、製品化 | 2012 | エンタープライズ向け 業界最大級 1.6TB 24nm MLC NAND搭載 SAS SSDをサンプル出荷 当社独自の誤り訂正技術「QSBC™」を採用 |
世界最小 19nm 第2世代 MLC NAND型フラッシュメモリを製品化 |
2013 | 19nm MLC NAND搭載 SAS/SATA SSDを製品化、製品ラインアップを拡充 |
世界最小 15nm NAND型フラッシュメモリを製品化 | 2014 | |
世界最高集積度 48層 3次元フラッシュメモリ 「BiCS FLASH™」を製品化 |
2015 | ![]() ・クライアント向け業界初 1024GB NVMe™ SSDを製品化 |
世界最高集積度 64層 3次元フラッシュメモリ 「BiCS FLASH™」を試作 |
2016 | 3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」搭載 第2世代 Single package SSDを製品化 |
![]() 「BiCS FLASH™」を試作 ・96層 3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を試作 ・世界初 64層 QLC 3次元フラッシュメモリ 「BiCS FLASH™」を試作 |
2017 | クライアントおよびエンタープライズ向け 64層 3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」搭載 SSDを製品化、製品ラインアップを拡充 ![]() |
96層 QLC 3次元フラッシュメモリ 「BiCS FLASH™」を試作 |
2018 | 業界初 96層 3次元フラッシュメモリ 「BiCS FLASH™」搭載 SSDを製品化 |
*SLC: Single Level Cell *MLC: Multi Level Cell *TLC: Triple Level Cell *QLC: Quad Level Cell |
*PATA: Parallel Advanced Technology Attachment *SATA: Serial Advanced Technology Attachment *mSATA: mini SATA *SAS: Serial Attached SCSI (Small Computer System Interface) |
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