技術開発ヒストリー

1987年のNAND型フラッシュメモリの発明をはじめ、電子機器の進化や情報社会の進展をグローバルに支えてきたキオクシアのあゆみを、メモリとSSDの開発史を通じてご紹介します。

技術開発ヒストリー

メモリ/メモリカード SSD
世界初 フラッシュメモリを発明 1984  
世界初 NAND型フラッシュメモリを発明 1987  
世界初 4Mbit NAND型フラッシュメモリを製品化 1991  
・四日市工場を設立
・世界初 16Mbit NAND型フラッシュメモリを製品化
1992  
256Mbit NAND型フラッシュメモリを製品化 1998  
SDメモリカードを製品化 2000  
世界初 1Gbit MLC NAND型フラッシュメモリを製品化 2001 SLC NAND搭載 PATA SSDを製品化
2Gbit NAND型フラッシュメモリを製品化 2003  
世界初 3次元フラッシュメモリ技術を発表 2007 業界最大容量 128GB 56nm MLC NAND搭載
SATA SSDを製品化
43nm NAND型フラッシュメモリを製品化 2008 43nm MLC NAND搭載 512GB SATA SSDを製品化
32nm NAND型フラッシュメモリを学会発表(ISSCC)、製品化 2009 業界初 128GB Half Slim SATA/mSATA SSDの製品ラインアップを拡充
世界最高集積度 24nm MLC NAND型フラッシュメモリを製品化 2010 mSATAと比べ、薄型化および小型化を実現した
スティックタイプSSDを製品化
(最大容量256GB)
世界最小 19nm MLC NAND型フラッシュメモリを製品化 2011  
19nm TLC NAND型フラッシュメモリを学会発表(ISSCC)、製品化 2012 エンタープライズ向け
業界最大級 1.6TB 24nm MLC NAND搭載
SAS SSDをサンプル出荷
当社独自の誤り訂正技術「QSBC™」を採用
世界最小 19nm 第2世代 MLC
NAND型フラッシュメモリを製品化
2013 19nm MLC NAND搭載 SAS/SATA SSDを製品化、製品ラインアップを拡充
世界最小 15nm NAND型フラッシュメモリを製品化 2014  
世界最高集積度 48層 3次元フラッシュメモリ
「BiCS FLASH™」を製品化
2015 ・世界最小 NVMe™ Single package SSDを製品化
・クライアント向け業界初 1024GB NVMe™ SSDを製品化
世界最高集積度 64層 3次元フラッシュメモリ
「BiCS FLASH™」を試作
2016 3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」搭載
第2世代 Single package SSDを製品化
・世界初 TSV技術搭載 TLC 3次元フラッシュメモリ
「BiCS FLASH™」を試作
・96層 3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を試作
・世界初 64層 QLC 3次元フラッシュメモリ
「BiCS FLASH™」を試作
2017 クライアントおよびエンタープライズ向け
64層 3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」搭載 SSDを製品化、製品ラインアップを拡充
96層 QLC 3次元フラッシュメモリ
「BiCS FLASH™」を試作
2018 業界初 96層 3次元フラッシュメモリ
「BiCS FLASH™」搭載 SSDを製品化
*SLC: Single Level Cell
*MLC: Multi Level Cell
*TLC: Triple Level Cell
*QLC: Quad Level Cell
*PATA: Parallel Advanced Technology Attachment
*SATA: Serial Advanced Technology Attachment
*mSATA: mini SATA
*SAS: Serial Attached SCSI (Small Computer System Interface)
  • NVMeは、NVM Express, Inc.の商標です。
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