東芝記憶體株式會社推出 XL-FLASH™ 儲存級記憶體解決方案

提供高效能 NAND;以高成本效益的解決方案降低延遲

【2019 年 8 月 6 日東京訊】記憶體解決方案的全球領導者─東芝記憶體株式會社今日宣布,推出全新的儲存級記憶體 (SCM) 解決方案:XL-FLASH™。XL-FLASH™ 採用公司創新性 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體技術與1-bit-per-cell的 SLC 記憶體,可為數據中心及企業儲存裝置提供低延遲與高效能。樣品將於九月開始發放,並預計於 2020 年開始量產。

XL-FLASH™ 歸類為 SCM (或稱持續性記憶體),能夠如同 NAND 快閃記憶體般保留內容,可彌補 DRAM 與 NAND 之間的效能差距。雖然 DRAM 這類揮發性記憶體解決方案可提供運算密集型應用程式所需的存取速度,但這種效能的所需成本高昂。隨著 DRAM 的每位元成本和擴充性日趨平穩,這種位於記憶體階層中的全新 SCM (或稱持續性記憶體) 層採用了一種高密度、經濟實惠、非揮發性的 NAND 快閃記憶體解決方案來應付此問題。

XL-FLASH™ 介於 DRAM 與 NAND 快閃記憶體之間,不僅速度更快、延遲更低且儲存容量更高;此外,與傳統 DRAM 相比,其成本也較低。儘管一開始 XL-FLASH™ 是以 SSD 形式部署,但仍可擴充至 DRAM 匯流排的記憶體通道連接裝置之上,包含未來的工業標準非揮發性雙列直插式記憶體模組 (NVDIMM)。

主要特點
  • 128 gigabit (Gb) 顆粒 (提供 2 顆粒、4 顆粒、8 顆粒封裝)
  • 4KB 分頁大小,提升作業系統的讀寫效率
  • 16層平行面架構,改善並行作業效率
  • 分頁讀取與程式時間的速度更快。XL-FLASH™ 的低讀取延遲在 5 微秒以下,比現有的 TLC 快約 10 倍

東芝記憶體株式會社身為 NAND 快閃記憶體發明者,率先發表 3D 快閃記憶體技術,同時也是制造技術更新的領導廠商,不僅具備雄厚實力,且能以成熟製程、可靠擴充性與經得起時間考驗的 SLC 穩定度,提供採用 SLC 記憶體的 SCM。

備註:
所有公司名稱、產品名稱及服務名稱,商標權益分別隸屬於個別公司。

每當提及東芝記憶體產品:產品密度的識別是根據產品內的記憶體晶片密度,而非終端使用者可用來儲存資料的記憶體容量。使用者可用容量會因為額外負荷資料區域、格式化、壞塊和其他限制而減少,也可能依據不同的主機裝置和應用而產生差異。如需詳細資訊,請參閱適用的產品規格。1Gb 定義 = 2^30 位元 = 1,073,741,824 位元。1GB 定義 = 2^30 位元組 = 1,073,741,824 位元組。1KB 定義 = 2^10 位元組 = 1,024 位元組。

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