鎧俠榮獲 2021 年電機電子工程師學會 (IEEE) Andrew S. Grove 獎項

July 22, 2020
Kioxia Corporation

【2020 年 7 月 22 日東京訊】全球記憶體解決方案領導者 - 鎧俠株式會社,今日宣布鎧俠的工程師團隊榮獲電機電子工程師學會 (IEEE) 頒發 2021 年 Andrew S. Grove 獎項,表揚他們在研發高密度、三維快閃記憶體的創舉及長久以來的貢獻。

該獎項表揚固態裝置和技術方面的傑出貢獻。獲得殊榮的團隊成員隸屬於鎧俠記憶體技術研發部門和先進記憶體開發中心。在 2021 年 12 月於舊金山舉辦的國際電子元件會議 (IEDM) 將會在典禮上頒發獎項。

2007 年,該公司發佈 3D 快閃記憶體技術 BiCS FLASH™,這項突破性方法大幅簡化重直堆疊記憶體儲存單元來實現高密度 3D 快閃記憶體的製程。傳統堆疊需要重複沉積和圖案化製程來製造記憶體單元陣列,而 BiCS FLASH™ 技術首先堆疊用於製造記憶體儲存單元的材料,然後使用一次性圖案化製程同時製造每個單元,讓加工步驟大幅減少。現今廣泛使用的量產 3D 快閃記憶體便是採用鎧俠的 BiCS FLASH™ 概念。

有賴鎧俠努力不懈製造更完美的 3D 快閃記憶體,這項技術大幅擴大快閃記憶體應用並使之更普及,以更小的裸晶尺寸滿足對更高容量的需求。

展望未來,鎧俠仍然致力於研發快閃記憶體技術,要成為資訊產業持續進步的動力。

鎧俠 2021 年 IEEE Andrew S. Grove 獎項得主

青地 英明
記憶體技術研發部門資深專家

 

勝又 竜太
先進記憶體開發中心小組副總經理

 

鬼頭 傑
先進記憶體開發中心小組經理