鎧俠宣布擴建橫濱技術園區和興建新研究中心,以加強研究和技術開發並促進開放式創新

2021 年 5 月 13 日
鎧俠株式會社

【日本東京訊】全球記憶體解決方案領導者鎧俠株式會社,今日宣布投資 200 億日圓,用於擴建其位於橫濱技術園區的技術開發大樓,以及興建位於新子安站的全新先進研究中心。全新設施預計於 2023 年開始營運,鎧俠將能藉由整合神奈川縣的研發工廠來提升效率,並透過合作創造更有利於創新的工作環境,進而強化其研究與技術開發能力。

 

位於橫濱技術園區的技術開發大樓,將在完成擴建後提供比目前大將近兩倍的設施空間,讓鎧俠得以提升產品評估能力,進而提高產品的品質。擴建後的設施還將提供容納新員工的空間,藉以提升未來的產品開發能量。新大樓還將採用環保設計和高效節能設備。

 

新子安站先進研究中心將設立一間無塵室,以用於多種研究目的,尤其側重於材料和新製程方面的研究。

 

鎧俠期望藉由投資這些設施,提升其快閃記憶體與固態硬碟的技術開發能力,藉以滿足全球不斷增加的需求,以及開發能創造新價值的創新記憶體技術和產品。

 

為達成利用記憶體技術讓世界變更美好的使命,鎧俠致力於發展新一代的記憶體。鎧俠致力於透過資本投資及反映市場趨勢的研發技術,鞏固其在記憶體與固態硬碟產業的領導地位。

橫濱技術園區技術開發大樓 (暫定名稱)
地點:神奈川縣橫濱市榮區笠間 2 丁目
建築規模:6 層樓
總建築面積:約 40,000 平方公尺
預計施工年月:2021 年秋季
預計竣工年月:2023 年夏季

橫濱技術園區技術開發大樓設計師概念圖

橫濱技術園區技術開發大樓設計師概念圖

新子安站先進研究中心 (暫定名稱)
地點:神奈川縣橫濱市神奈川區守屋町 3 丁目
建築規模:4 層樓
總建築面積:約 13,000 平方公尺
營運時程:2023 年夏季

Artist's impression of Shin-Koyasu Advanced Research Center

新子安站先進研究中心設計師概念圖