IEEE Andrew S. Grove Awardを受賞

2020年 7月22日
キオクシア株式会社

当社の開発技術者3名が2021 IEEE Andrew S. Grove Awardを受賞しました。今回の受賞は、高密度3次元フラッシュメモリへの先駆的かつ持続的な貢献が評価されたものです。

本賞は、IEEEがソリッドステートデバイスおよびテクノロジーへの卓越した貢献に対して贈る技術分野賞で、2021年12月に開催されるInternational Electron Device Meeting(IEDM)会期中の授賞式で授与される予定です。

当社が2007年に発表した3次元フラッシュメモリBiCS FLASH™は、メモリ素子を縦方向に積層する際に積層数分繰り返す必要があった微細加工プロセスを、メモリ素子となる材料を積層したのちに一括で加工することで大幅なプロセスの簡略化を実現しました。今日幅広く実用化されている3次元フラッシュメモリは、このBiCS FLASH™のコンセプトに基づいております。当社の3次元フラッシュメモリ技術はメモリの大容量化、小型化など多様な市場のニーズに応え、フラッシュメモリを用いたアプリケーションの普及、拡大に貢献しました。

当社は今後とも、フラッシュメモリに関する技術開発を続け、産業の発展に貢献していきます。

受賞者

メモリ技術研究所 シニアエキスパート 青地 英明
先端メモリ開発センター センター長附 勝又 竜太
先端メモリ開発センター グループ長 鬼頭 傑

PAGETOP